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HAL® 2xy

价值优化的霍尔效应传感器系列

简介

HAL 2xy开关系列产品使用CMOS技术生产。传感器包含主动偏置补偿的温度补偿霍尔片,比较器和开漏输出晶体管。

比较器通过霍尔片(霍尔电压)来比较实际的磁通量和设定的参考值(开关点)。相应地,输出晶体管进行开关。

主动偏置补偿使得磁参数对机械应力效应下保持稳定可靠。此外,磁参数在全电压和全温度下都是持续的。

本系列传感器是为了工业和汽车应用设计的,工作电压从3.8伏到24伏,环境温度从−40 °C up to 125 °C。

HAL 2xy产品有SOT89B SMD和铅封 TO92UA两种封装。

框图 - 系统架构

霍尔效应传感器是一个感应磁场而开关的单片集成电路。如果磁通线垂直于感应区域的磁场靠近传感器,霍尔片会按比例输出电压。霍尔电压就和比较器里的实际阀值进行比较。  

独立于温度的偏置用来在高温下补偿磁场的减弱。如果磁场超过了阀值,开漏输出开关就切换到合适的状态。内置的磁滞消除震动病提供平稳的开关输出性能。

由机械应力引起的磁场偏置由“开关偏置补偿技术”来补偿。

https://www.micronas.tdk.com/sites/default/files/svg/block_hal2xy.svgHAL 2xy
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